APTGL325A120D3G
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 420A 1500W D3
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
420 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล D-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 300A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
D3
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
1500 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
18.6nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APTGL325
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานครึ่ง 1200 V 420 A 1500 W
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: