FZ900R12KE4HOSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
900 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
C
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 900A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
4300 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
56 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FZ900R12
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ติดกรัง สนามเดียว 1200 V 900 A 4300 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: