FS75R17KE3BOSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
130 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40 ° C ~ 125 ° C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
465 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.8 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
สะพานเต็ม
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FS75R17
คําแนะนํา
IGBT Module Full Bridge 1700 V 130 A 465 W Chassis Mount Module
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: