APTGF330A60D3G
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 600V 520A 1560W D3
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
520 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล D-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 400A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
D3
MFR:
บริษัทไมโครเซมี
อุณหภูมิการทำงาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500 µA
ประเภท IGBT:
NPT
พลัง - สูงสุด:
1560 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT Half Bridge 600 V 520 A 1560 W มอนท์ชาสซี่ D3
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: