FD300R12KS4B5HOSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
370 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ไม่ใช่สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
C
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.75V @ 15V, 300A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40 ° C ~ 125 ° C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 mA
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
พ.ศ. 2493 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
20nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ชอปเปอร์ตัวเดียว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FD300R12
คําแนะนํา
IGBT Module Single Chopper 1200 V 370 A 1950 W Chassis Mount Module
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: