FP50R12KT4PBPSA1
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 100A 20MW
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
EconoPIM™ 2
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 25A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
20 เมกะวัตต์
ป้อนข้อมูล:
วงจรเรียงกระแสสะพานสามเฟส
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
1.45 nF @ 25 V
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FP50R12
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องปิดสนาม 3 ขั้นตอน Inverter 1200 V 100 A 20 mW โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: