FS75R07U1E4BPSA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ไม่ใช่สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
สมาร์ทแพ็ค1
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.95V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 mA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
พลัง - สูงสุด:
275 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
4.6 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
สะพานเต็ม
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FS75R07
คําแนะนํา
IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650 V 100 A 275 W Chassis Mount Module
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: