APTGF150DU120TG
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
200 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
จำนวนมาก
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
เอสพี4
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
เอสพี4
MFR:
บริษัทไมโครเซมี
อุณหภูมิการทำงาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
350 µA
ประเภท IGBT:
NPT
พลัง - สูงสุด:
961 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
10.2nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
แหล่งที่มาคู่ทั่วไป
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
คําแนะนํา
IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200 V 200 A 961 W Chassis Mount SP4
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: