FS50R06YE3BOMA1
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
60 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
ชุด:
-
แพ็คเกจ / เคส:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
โมดูล
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทำงาน:
-40 ° C ~ 125 ° C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 mA
ประเภท IGBT:
-
พลัง - สูงสุด:
160 ว
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.1nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
FS50R06
คําแนะนํา
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สะพานเต็ม 600 V 60 A 160 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: