APT75GP120J
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
128 ก
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
หลอด
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 7®
แพ็คเกจ / เคส:
ไอโซโทป
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.9V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์:
ไอโซโทป®
MFR:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทำงาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 mA
ประเภท IGBT:
PT
พลัง - สูงสุด:
543 วัตต์
ป้อนข้อมูล:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
7.04 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
เลขที่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
APT75GP120
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 1200 V 128 A 543 W ชาซิมอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: