T3800N18TOFVTXPSA1
คําอธิบาย:
STD THYR/DIODEN แผ่น BG-T11126K-
ประเภท:
โมดูล IGBT
มีสินค้า:
ในสต็อก
วิธีการจ่ายเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
วิธีการขนส่ง:
LCL, AIR, FCL, Express
รายละเอียด
หมวดหมู่:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไทริสเตอร์ SCR - โมดูล
สถานะผลิตภัณฑ์:
คล่องแคล่ว
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
บรรจุุภัณฑ์:
صينية
แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:
1.8 กิโลโวลต์
ชุด:
-
ปัจจุบัน - สถานะเปิด (อิท (AV)) (สูงสุด):
3800 ก
MFR:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):
5970 อ
แรงดัน - เกททริกเกอร์ (Vgt) (สูงสุด):
2.5 V
อุณหภูมิการทำงาน:
135°C (ทีเจ)
ปัจจุบัน - เกตทริกเกอร์ (Igt) (สูงสุด):
250 ม.ม
โครงสร้าง:
เดี่ยว
แพ็คเกจ / เคส:
TO-200AE
ปัจจุบัน - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):
63000A @ 50Hz
ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด):
300 มิลลิแอมป์
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน:
T3800N
จำนวน SCR, ไดโอด:
1 เอสซีอาร์
คําแนะนํา
โมดูล SCR 1.8 kV 5970 A มอนท์เชสซี่เดียว TO-200AE
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: