SGT75T65SDM1P7 TO-247 Biến tần số biến tần IGBT Thành phần điện tử MOS POWER High Power Mos Transitor
Mô tả:
SGT75T65SDM1P7 TO-247 Biến tần số biến tần IGBT Thành phần điện tử MOS POWER High Power Mos Transito
Nhóm:
bóng bán dẫn MOS
Giá cả:
CN¥0.1431/pieces
Thông số kỹ thuật
Nhiệt độ hoạt động:
tiêu chuẩn, tiêu chuẩn
Dòng:
SGT75
Mô tả:
MOSFET, IGBT
Loại:
MOSFET, tiêu chuẩn
Đ/C:
23+
Loại gói:
Xuyên lỗ
Ứng dụng:
MOSFET, tất cả các loại sản phẩm điện tử
Loại nhà cung cấp:
Nhà sản xuất ban đầu
Tham chiếu chéo:
Tiêu chuẩn
phương tiện có sẵn:
Bảng dữliệu
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
Tiêu chuẩn
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
Tiêu chuẩn
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
Tiêu chuẩn
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
Tiêu chuẩn
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
Tiêu chuẩn
Sức mạnh tối đa:
Tiêu chuẩn
Tần suất - Chuyển tiếp:
Tiêu chuẩn
Loại lắp đặt:
Qua lỗ, thông qua lỗ
Bao bì / Vỏ:
TO-247
Điện trở - Đế (R1):
Tiêu chuẩn
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
Tiêu chuẩn
Loại FET:
Tiêu chuẩn
Tính năng FET:
Tiêu chuẩn
Xả điện áp nguồn (Vdss):
Tiêu chuẩn
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C:
Tiêu chuẩn
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss:
Tiêu chuẩn
Vss(th) (Tối đa) @ Id:
Tiêu chuẩn
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds:
Tiêu chuẩn
Tần số:
Tiêu chuẩn
Đánh giá hiện tại (Amps):
Tiêu chuẩn
Hình tiếng ồn:
Tiêu chuẩn
Công suất - Đầu ra:
Tiêu chuẩn
Điện áp - Định mức:
Tiêu chuẩn
Điện áp truyền động (Bật Rds tối đa, Bật Rds tối thiểu):
Tiêu chuẩn
VGS (Tối đa):
Tiêu chuẩn
Loại IGBT:
Tiêu chuẩn
Cấu hình:
Tiêu chuẩn
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
Tiêu chuẩn
Nhập:
Tiêu chuẩn
Nhiệt điện trở NTC:
Tiêu chuẩn
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS):
Tiêu chuẩn
Hiện tại - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Tiêu chuẩn
Cống hiện tại (Id) - Tối đa:
Tiêu chuẩn
Điện áp - Ngắt (VGS tắt) @ Id:
Tiêu chuẩn
Kháng cự - RDS(Bật):
Tiêu chuẩn
Điện áp - Đầu ra:
Tiêu chuẩn
Điện áp - Bù đắp (Vt):
Tiêu chuẩn
Dòng điện - Rò rỉ cổng tới cực dương (Igao):
Tiêu chuẩn
Hiện tại - Thung lũng (Iv):
Tiêu chuẩn
Hiện tại - Cao điểm:
Tiêu chuẩn
Tên sản phẩm:
SGT75T65SDM1P7
Chất lượng:
Đảm bảo chất lượng cao 365 ngày
DC:
23+
Điều kiện:
Nguyên bản 100%
Gói:
Gói tiêu chuẩn
Bảo hành:
1-3 năm
Giao hàng bởi:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Detalis:
Vui lòng liên hệ với chúng tôi
MOQ:
1 chiếc
Điện áp:
Tiêu chuẩn
Ứng dụng:
Tiêu chuẩn
Làm nổi bật:
Transistor mos nguyên bản
,Transistor mos fet nguyên bản
Lời giới thiệu
Mô tả sản phẩm
Loại sản phẩm: | Inverter ống IGBT tần số cao |
Số mẫu: | SGT75T65SDM1P7 |
Series: | SGT75 |
Nhà cung cấp: | SILAN |
Bao bì: | TO-247 |
Cài đặt kiểu: | lỗ xuyên |
Mới và nguyên bản |
SGT75T65SDM1P7TO-247 Inverter ống IGBT tần số caolà một trong những chip IC bán chạy nhất của chúng tôi
Người liên hệ: | Ông Guo. | ||
Tel: | +86 13434437778 | ||
Email: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Bao bì và giao hàng
Số lượng (đồ) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Thời gian dẫn đầu (ngày) | 3-5 | 5-8 | Để đàm phán |
Hồ sơ công ty
Câu hỏi thường gặp
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: