FS50R06W1E3BOMA1
Thông số kỹ thuật
Loại:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
70 A
Tình trạng sản phẩm:
tích cực
Loại gắn kết:
khung gầm
Bưu kiện:
khay
Loạt:
EasyPACK™
Gói / trường hợp:
Mô -đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 50A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
600 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:
Mô -đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1 Ma
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh - Tối đa:
205 W
Đầu vào:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
95 pF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần ba pha
Nhiệt điện trở NTC:
Đúng
Số sản phẩm cơ sở:
FS50R06
Lời giới thiệu
Mô-đun IGBT Dừng trường rãnh Biến tần ba pha 600 V 70 A 205 W Mô-đun gắn khung gầm
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: