VS-GT200TS065S
Mô tả:
MÔ-ĐUN IGBT - IAP IGBT
Nhóm:
Mô-đun IGBT
Trong kho:
Trong kho
phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Phương pháp vận chuyển:
LCL, Air, FCL, Express
Thông số kỹ thuật
Loại:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
476 A
Tình trạng sản phẩm:
tích cực
Loại gắn kết:
khung gầm
Bưu kiện:
HỘP
Loạt:
FRED Pt®
Gói / trường hợp:
Mô -đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1,32V @ 15V, 200A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
650 v
Gói thiết bị nhà cung cấp:
INT-A-PAK IGBT
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
200µA
Loại IGBT:
Mương
Sức mạnh - Tối đa:
1 kW
Đầu vào:
Tiêu chuẩn
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Cấu hình:
Biến tần nửa cầu
Nhiệt điện trở NTC:
KHÔNG
Lời giới thiệu
IGBT Module Trench Half Bridge Inverter 650 V 476 A 1 kW Chassis Mount INT-A-PAK
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: