NXH400N100H4Q2F2SG
Thông số kỹ thuật
Loại:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
409 Một
Tình trạng sản phẩm:
tích cực
Loại gắn kết:
khung gầm
Bưu kiện:
khay
Loạt:
-
Gói / trường hợp:
Mô -đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 400A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1000 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
Đơn phương
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
500 µA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh - Tối đa:
959 W
Đầu vào:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
26.093 nF @ 20 V
Cấu hình:
Biến tần ba cấp
Nhiệt điện trở NTC:
Đúng
Lời giới thiệu
Mô-đun IGBT Dừng rãnh trường Biến tần ba cấp 1000 V 409 A 959 W Khung gầm gắn kết 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: