NCE80TD65BT TO-247 Transistor de puissance IGBT en vrac 80A 650V pour le pilote MOSFET
fabricant:
SK HYNIX
Définition:
NCE80TD65BT TO-247 nouveau transistor de puissance IGBT en vrac 80A 650V
Catégorie:
IGBT
Prix:
CN¥1.44/pieces
Les spécifications
Température de fonctionnement:
-, -
Série:
NCE80
Définition:
Tubes IGBT haute puissance, -
Le type:
Transistors IGBT, transistors IGBT
D/C:
23 ans et plus.
Type de colis:
DSM/SMT
Application du projet:
Le pilote MOSFET, toutes sortes de produits électroniques
Type de fournisseur:
autres
Les médias disponibles:
Une photo
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
-
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
-
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
-
Puissance maximale:
-
Fréquence - Transition:
-
Type de montage:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Emballage / boîtier:
TO-247
Résistance - Base (R1):
DSM/SMT
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
DSM/SMT
Type de FET:
-
Caractéristique de FET:
-
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
-
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
-
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Fréquence:
-
Rating de courant (ampères):
-
Figure du bruit:
-
Puissance - Sortie:
-
Voltage - Nominal:
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
-
Vgs (maximum):
-
Type IGBT:
-
Configuration:
-
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
-
Résultats de l'analyse:
-
Thermistors NTC:
- Je ne sais pas.
Tension - panne (V (BR) GSS):
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Drain actuel (identification) - maximum:
-
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
-
Résistance - le RDS (dessus):
-
Voltage - sortie:
-
Tension - compensation (VT):
-
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
-
Actuel - vallée (iv):
-
Actuel - crête:
-
Type de transistor:
-
Nom du produit:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Original de:
Marque originale
Detalis:
Veuillez nous contacter
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Paiement:
Paypal et Western Union
Condition:
Tout neuf et original
Garantie:
365 jours de garantie
Qualité:
Originaux de haute qualité
Voltage:
-
Applications:
-
Mettre en évidence:
Transistors de puissance IGBT 80A
,Transistors de puissance IGBT NCE80TD65BT
,Transistors IGBT de 80 A à 650 V
Introduction au projet
Description du produit
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Type de produit:
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Tubes à haute puissance IGBT
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Numéro de modèle:
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
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Série:
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NCE80
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Le vendeur:
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NCE
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Emballage:
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TO-247
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Installez le style:
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DSM/SMT
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Nouveau et original
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:TO-247 Tubes à haute puissance IGBTest l'une de nos puces IC les plus vendues
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Personne de contact:
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M. Guo, vous avez raison.
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Télégramme:
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+86 13434437778
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Votre adresse électronique:
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Je ne peux pas vous aider.
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Nouschat:
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- le numéro d'immatriculation
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Emballage et livraison
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Quantité (pièces)
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1 à 100
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100 à 1000
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1000 à 10000
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Temps de réalisation (jours)
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3 à 5
|
5 à 8
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À négocier
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Profil de l'entreprise
Questions fréquentes
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