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집 > 상품 > IGBT > NCE80TD65BT TO-247 MOSFET 드라이버용 IGBT 전력 트랜지스터 80A 650V

NCE80TD65BT TO-247 MOSFET 드라이버용 IGBT 전력 트랜지스터 80A 650V

Name: NCE80TD65BT TO-247 MOSFET 드라이버용 IGBT 전력 트랜지스터 80A 650V
Brand: Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.
SKU: NCE80TD65BT
Price: 1.44 USD
Availability: InStock

제조 업체:

SK 하이닉스

설명:

NCE80TD65BT TO-247 대량 새로운 IGBT 전원 트랜지스터 80A 650V

분류:

IGBT

가격:

CN¥1.44/pieces

사양

작동 온도:

-, -

시리즈:

NCE80

설명:

IGBT 튜브 고전력, -

종류:

IGBT 트랜지스터, IGBT

D/C:

23+, 23+

패키지 종류:

SMD/SMT

적용:

MOSFET 드라이버, 모든 종류의 전자 제품

공급자 유형:

다른 것

이용 가능한 매체:

사진

경향 - 수집기 (Ic) (맥스):

전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):

Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):

경향 - 집전기 절단 (맥스):

Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):

전원 - 맥스:

주파수 - 변화:

장착형:

smd/smt, smd/smt

패키지 / 케이스:

TO-247

저항기 - 토대 (R1):

SMD/SMT

저항기 - 방출기 베이스 (R2):

SMD/SMT

FET은 타이핑합니다:

FET 특징:

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:

Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:

Id에 있는 Vgs(th) (맥스):

게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):

빈도:

전류 등급 (Amps):

소음 지수:

전원 - 생산:

전압 - 평가됩니다:

구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):

브그스 (맥스):

IGBT는 타이핑합니다:

구성:

프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:

프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):

입력:

NTC 서미스터:

전압 - 고장 (V(BR)GSS):

경향 - Vds (Vgs=0)에 있는 배수 (이드스):

전류 소모 (Id) - 맥스:

전압 - Id에 있는 결산일 (떨어져서 VGS):

저항 - RDS (계속):

전압 - 출력:

전압 - 벌충 (Vt):

전류 - 음극 누출 (이가오)에 대한 게이트:

경향 - 밸리 (Iv):

경향 - 성수기:

트랜지스터형:

제품 이름:

NCE80TD65BT

원래 후롬:

원래 브랜드

데트앨리스:

저희에게 연락하십시오.

선박:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK 포스트

지불:

PayPal Western Union T/T

조건:

새로운 브랜드와 오리지널

보증:

365 Days -Warranty

품질:

원본 고품질

전압:

신청서:

강조하다:

IGBT 전력 트랜지스터 80A

NCE80TD65BT IGBT 전력 트랜지스터

80A 650V IGBT 트랜지스터

소개

제품 설명

제품 종류:	IGBT 고전력 튜브
모델 번호:	NCE80TD65BT
시리즈:	NCE80
판매자:	NCE
포장:	TO-247
스타일을 설치합니다:	SMD/SMT
	새롭고 원본