NCE80TD65BT TO-247 Massen-IGBT-Leistungstransistor 80A 650V für MOSFET-Treiber
fabricant:
SK HYNIX
Beschreibung:
NCE80TD65BT TO-247 bulk neue IGBT-Leistungstransistor 80A 650V
Kategorie:
IGBT
Preis:
CN¥1.44/pieces
Spezifikationen
Betriebstemperatur:
-, -
Reihe:
NCE80
Beschreibung:
IGBT-Leistungsröhre, hoch
Typ:
IGBT-Transistor, IGBT
D/C:
23+, 23+
Art der Packung:
SMD/SMT
Anwendung:
MOSFET-Treiber, alle Arten von elektronischen Produkten
Lieferantenart:
andere
Verfügbare Medien:
Fotografie
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
- -
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
- -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
- -
Strom - Sammlergrenze (maximal):
- -
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
- -
Leistung - Max.:
- -
Häufigkeit - Übergang:
- -
Art der Montage:
SMD/SMT, SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
TO-247
Widerstand - Basis (R1):
SMD/SMT
Widerstand - Emitterbasis (R2):
SMD/SMT
FET-Typ:
- -
Fet-Eigenschaft:
- -
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
- -
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
- -
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
- -
Vgs(th) (Max) @ Id:
- -
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
- -
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Häufigkeit:
- -
Leistungsbewertung (Ampere):
- -
Geräuschwerte:
- -
Leistung - Leistung:
- -
Nennspannung:
- -
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
- -
Vgs (maximal):
- -
IGBT-Typ:
- -
Ausstattung:
- -
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
- -
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
- -
Eingabe:
- -
NTC-Thermistor:
- Ich weiß nicht.
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
- -
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
- -
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
- -
Widerstand - RDS (an):
- -
Spannung - Ausgang:
- -
Spannung - Ausgleich (Vt):
- -
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
- -
Gegenwärtig - Tal (iv):
- -
Gegenwärtig - Spitze:
- -
Transistortyp:
- -
Produktbezeichnung:
NCE80TD65BT
Ursprünglich von:
Ursprüngliche Marke
Detalis:
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Versand durch:
DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Zahlung:
Paypal Western Union t/t
Die Situation:
Brandneu und Original
Gewährleistung:
365 Tage Garantie
Qualität:
Original von hoher Qualität
Spannung:
- -
Anwendungen:
- -
Hervorheben:
IGBT Leistungstransistor 80A
,NCE80TD65BT IGBT Leistungstransistor
,80A 650V IGBT-Transistor
Einleitung
Produktbeschreibung
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Produkttyp:
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IGBT -Hochleistungsrohr
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Modellnummer:
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NCE80TD65BT
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Serie:
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NCE80
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Verkäufer:
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Nce
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Verpackung:
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To-247
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Installieren Sie den Stil:
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SMD/SMT
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Neu und originell
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NCE80TD65BTTo-247 IGBT -Hochleistungsrohrist einer unserer meistverkauften IC-Chips
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Ansprechpartner:
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Mr.guo
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Tel:
|
+86 13434437778
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E-Mail:
|
Xcdzic@163.com
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Wechat:
|
0086 13434437778
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Verpackung & Lieferung
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Menge (Stücke)
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1-100
|
100-1000
|
1000-10000
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Vorlaufzeit (Tage)
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3-5
|
5-8
|
Ausgehandelt werden
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Unternehmensprofil
FAQ
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