| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ |
|---|
|
|
Oryginalny tranzystor BT136 TO-220 800 wysokiej mocy dwukierunkowy elektryczny komponent tirystorowy
|
Oryginalny tranzystor BT136 TO-220 800 wysokiej mocy dwukierunkowy elektryczny komponent tirystorowy
|
|
|
|
|
|
1N4148 Dioda przełącznikowa z szybką prędkością przełącznikową Szklana obudowa zamknięta75V 150MA DO-35 1N4148
|
1N4148 Dioda przełącznikowa z szybką prędkością przełącznikową Szklana obudowa zamknięta75V 150MA DO
|
|
|
|
|
|
Nowy importowany oryginalny IRFP260N TO-247 MOS FET o wysokiej mocy 200V/50A
|
Nowy importowany oryginalny IRFP260N TO-247 MOS FET o wysokiej mocy 200V/50A
|
|
|
|
|
|
Wysokiej jakości MB10F SOP-4 1A 1000V Prostowalnik mostka Elektroniczny składnik Prostowalnik mostka diodowy
|
Wysokiej jakości MB10F SOP-4 1A 1000V Prostowalnik mostka Elektroniczny składnik Prostowalnik mostka
|
|
|
|
|
|
Dostarcz Nowy oryginalny falownik Dilongyi UNITIRECRECTION SCR / THYRISTOR 70A1600V TO-247 PAKIET 70TPS16
|
Dostarcz Nowy oryginalny falownik Dilongyi UNITIRECRECTION SCR / THYRISTOR 70A1600V TO-247 PAKIET 70
|
|
|
|
|
|
KSE13009l TO-247-3 Tranzystor dużej mocy Element elektroniczny Tranzystor bipolarny BJT E13009 KSE13009FTU
|
KSE13009l TO-247-3 Tranzystor dużej mocy Element elektroniczny Tranzystor bipolarny BJT E13009 KSE13
|
|
|
|
|
|
SS8550 TO-92-3 1,5A/-25V SMD TRANISistor NPN Power Tranzystorowy Chip jest zupełnie nowy i oryginalny
|
SS8550 TO-92-3 1,5A/-25V SMD TRANISistor NPN Power Tranzystorowy Chip jest zupełnie nowy i oryginaln
|
|
|
|
|
|
SGT75T65SDM1P7 TO-247 Wysoka częstotliwość IGBT Elektroniczny tranzystor MOS MOS
|
SGT75T65SDM1P7 TO-247 Wysoka częstotliwość IGBT Elektroniczny tranzystor MOS MOS
|
|
|
|
|
|
Nowy oryginalny 50A 600V K50T60 do 247 falownika IGBT tranzystor elektryczny maszyna spawalnia
|
Nowy oryginalny 50A 600V K50T60 do 247 falownika IGBT tranzystor elektryczny maszyna spawalnia
|
|
|
|
|
|
Nowy tranzystor bipolarny SOT-23 MMBT5551 SMD, tranzystor polaryzacji NPN z nadrukiem
|
Nowy tranzystor dwubiegunowy SOT-23 MMBT5551 Tranzystor SMD z nadrukiem NPN Polar Tranzystor NPN
|
|
|
|
|
|
Oryginalny jednokierunkowy krzemowy prostownik o wysokiej częstotliwości i wysokim napięciu 100A 1800 V TO-247 CLA100E1800HF
|
Oryginalny jednokierunkowy krzemowy prostownik o wysokiej częstotliwości i wysokim napięciu 100A 180
|
|
|
|
|
|
NGD8201AG TO-252 Automobil Computer Ignition Coil Transistor jest nowy i oryginalny
|
NGD8201AG TO-252 Automobil Computer Ignition Coil Transistor jest nowy i oryginalny
|
|
|
|
|
|
Oryginalny tyristor mosfet TO-252-3 n-kanałowy 150V 3A półprzewodnikowa rurka oksydu metalu IRFR4615TRLPBF
|
Oryginalny tyristor mosfet TO-252-3 n-kanałowy 150V 3A półprzewodnikowa rurka oksydu metalu IRFR4615
|
|
|
|
|
|
600V 40A TO-247 FGH40N60SFD tranzystor igbt przewód indukcyjny kuchenka wysokiej mocy Inwerter
|
600V 40A TO-247 FGH40N60SFD Tranzystor IGBT indukcja kuchenki o wysokiej mocy falownika Tranzystor s
|
|
|
|
|
|
Półprzewodnik N-kanałowy 40V90A MOS Efekt pola tranzystor IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET szybkiego przełączania
|
Półprzewodnik N-kanałowy 40V90A MOS Efekt pola tranzystor IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET szybkiego p
|
|
|
|
|
|
Fabrycznie nowa, oryginalna dioda Schottky'ego EG4005C SOP-8, mikrofalowa, podczerwieni, indukcyjna, ludzka, radarowa, indukcyjna, elektroniczne komponenty
|
Fabrycznie nowa, oryginalna dioda Schottky'ego EG4005C SOP-8, mikrofalowa, podczerwieni, indukcyjna,
|
|
|
|
|
|
20SQ045 DO-201 Dioda Schottky 20A 45V Prostowalnik Dioda 2 jest używana do pudełka łącznikowego słonecznego
|
20SQ045 DO-20101 Schottky Dioda 20A 45V Dioda prostownika 2 jest używana do skrzynki Słonecznej Włąc
|
|
|
|
|
|
Tranzystor wzmacniacza mocy audio 15A 230V TO-3P2S1943-O2SC5200-O ELEKTRONICZNY Wzmacniacz wzmacniacza mocy
|
Tranzystor wzmacniacza mocy audio 15A 230V TO-3P2S1943-O2SC5200-O ELEKTRONICZNY Wzmacniacz wzmacniac
|
|
|
|
|
|
Dioda Schottky SMD o niskim spadku napięcia 10A 100V SB10100L TO-277 Komponenty elektroniczne są fabrycznie nowe i oryginalne
|
Dioda Schottky SMD o niskim spadku napięcia 10A 100V SB10100L TO-277 Komponenty elektroniczne są fab
|
|
|
|
|
|
Szklany pasywacja szybkiego mostka Elektroniczny element elektroniczny GBP310 GBP Mostek prostownik Dioda mostka
|
Szklany pasywacja szybkiego mostka Elektroniczny element elektroniczny GBP310 GBP Mostek prostownik
|
|
|
|
|
|
Plastikowe prostowniki dużej sprawności 3A/1000V Dioda prostownicza DO-27 UF5400-UF5408
|
Plastikowe prostowniki dużej sprawności 3A/1000V Dioda prostownicza DO-27 UF5400-UF5408
|
|
|
|
|
|
TL431 SOT23 Liniowy Stabilizowany Tranzystor Chip Elektroniczny Komponent Zintegrowany Obwód Referencja napięcia Stabilizowany Triod
|
TL431 SOT23 Liniowy Stabilizowany Tranzystor Chip Elektroniczny Komponent Zintegrowany Obwód Referen
|
|
|
|
|
|
BTA100-1200B BTA100-800B TO-4PT Dwukierunkowy tyrystor SCR 800V, wtykany bezpośrednio do spawarki punktowej, elementy elektroniczne
|
BTA100-1200B BTA100-800B TO-4PT Dwukierunkowy tyrystor SCR 800V, wtykany bezpośrednio do spawarki pu
|
|
|
|
|
|
Oryginalny MOSFET falownika MOS Tranzystor Power HY3912W TO-247 190A 125V N Zwiększony kanał MOSFET
|
Oryginalny MOSFET falownika MOS Tranzystor Power HY3912W TO-247 190A 125V N Zwiększony kanał MOSFET
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.0 SOT-223 Trzyterminowe regulator napięcia Elektroniczne układy układu CPU o wysokiej jakości urządzeniu
|
AMS1117-3.0 SOT-223 Trzyterminowe regulator napięcia Elektroniczne układy układu CPU o wysokiej jako
|
|
|
|
|
|
2N3904 TO-92 BJT NPN Universal Bipolar Junction Tranzystor 40V20MA625MW Zupełnie nowy i oryginalny
|
2N3904 TO-92 BJT NPN Universal Bipolar Junction Tranzystor 40V20MA625MW Zupełnie nowy i oryginalny
|
|
|
|
|
|
BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor całkowicie nowy i oryginalny
|
BT138-600E TO-220 Elektroniczny komponent Triac 12A 600V Thyristor zupełnie nowy i oryginalny
|
|
|
|
|
|
FGH60N60UFD TO-247 Inwerter IGBT Jednostkowa Rurka 60A600V Do Maszyny Spawalniczej
|
FGH60N60UFD TO-247 Spawanie falownika IGB Pojedyncza rurka 60A600V
|
|
|
|
|
|
ISO3082DWR SOIC-16 interfejs sterownik układu zintegrowanego cyfrowy izolator półprzesyłacz izolowany 2/2 RS-485 instrumenty texas
|
ISO3082DWR SOIC-16 interfejs sterownik układu zintegrowanego cyfrowy izolator półprzesyłacz izolowan
|
|
|
|
|
|
S9014 0,15A 50V NPN Transistor niskiej mocy SOT-23 oryginalny produkt półprzewodnikowy dyskretny
|
S9014 0,15A 50V NPN Tranzystor o niskiej mocy SOT-23 Oryginalny dyskretny produkt półprzewodnikowy
|
|
|
|
|
|
BTA100-800B TO-4 Triak duży mocy tyrystor 800V 100A Reguluje dwukierunkowy tyrystor AC
|
Tranzystor BTA100-800B do 4 Triac Thyristor 800V 100A reguluje dwukierunkowy tyrystor AC
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N Channel Through Hole Mounting
|
Nowatorski tranzystor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-kanał N-kanał MOS MOS
|
|
|
|
|
|
AP3010 SOP-8 Tranzystor MOS FET z nadrukiem sitowym o napięciu przebicia 30V 10A
|
AP3010 SOP-8 DRINTED 3010 N-KANEL MOS FET z napięciem 30 V 10A
|
|
|
|
|
|
1N4148W-E3-08 SOD-123 Dioda przełączająca 100V Io/150mA Chip do montażu powierzchniowego
|
1N4148W-E3-08 SOD-123 Diode-Universal Power Switch 100V IO/150MA Chip
|
|
|
|
|
|
2N7002 SOT-23-3 7002 SMD Tranzystor MOSFET N Channel 60V/115mA
|
2N7002 SOT-23-3 DRUKOWANY 7002 N-KANEL 60V/115MA SMD MOSFET TRANSISTOR
|
|
|
|
|
|
PESD3V3L4UG Ekran L1T SOT353 ESD chip tłumiący diody elektroniczne TVS
|
PESD3V3L4UG Ekran L1T SOT353 ESD chip tłumiący diody elektroniczne TVS
|
|
|
|
|
|
LTV-354T SOP-4 Transistor Output Optocouplers Surface Mount 1 Channel
|
LTV-354T SOP-4 Tranzystor wyjściowy układ fotokoplera
|
|
|
|
|
|
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD Tranzystor MOSFET Chip N Channel 40V/20.5A
|
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 N Channel 40V/20.5A SMD MOSFET Chip
|
|
|
|
|
|
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Transistor N Channel dla produktów elektronicznych
|
NCEP15T14D TO-263 N-Kannel 150V 140A MOSFET FET
|
|
|
|
|
|
EDZVT2R5.6B SOD-523 Zener Diod Chip Elektroniczny składnik i pojedynczy układ scalony dyskretny półprzewodnik
|
EDZVT2R5.6B SOD-523 Zener Diode Chip Component i pojedynczy zintegrowany obwód dyskretny Chip Semico
|
|
|
|
|
|
STW48N60M2 TO-247 600V 42A Stabilizowane napięcie MOS Transistor N Channel Discrete Device
|
STW48N60M2 TO-247 N-kanał 600V 42A Stabilizowane napięciem MOS Dyskretne urządzenie
|
|
|
|
|
|
BC817-40 215 SOT23 Ekran Drukowany 6CW Transistor 45S500 Ma Bipolar Junction Transistor BJT
|
BC817-40,215 SOT23 DRUKOWANY SIĘ DZIECKO 6CW Patch Tranzystor 45S500 MA Tranzystor dwubiegunowy BJT
|
|
|
|
|
|
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
|
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Efekt pola MOSFET 30V 8.2A N-kanałowy drukowanie ekranu 4C10
|
|
|
|
|
|
NCE2030K TO-252 20V 30A N Channel MOS Chip Field Effect Transistor
|
NCE2030K TO-252 20V 30A N-kanał MOS MOS Efekt tranzystorowy Chip
|
|
|
|
|
|
SMAJ180CA Silkscreen VS ESD Diody tłumiące TVS Diody DO-214AA
|
SMAJ180CA Ekran vs elektrostatyczne telewizory chipowe supresorowe Diode DO-214AA Elektrostatyczne d
|
|
|
|
|
|
NCEP15T14LL TOLL N Channel MOSFET Transistor 150V 170A Transistor o efekcie pola
|
NCEP15T14LL TOLL N-kanał 150 V 170A MOSFET Efekt Pole Tranzystor
|
|
|
|
|
|
HF70ACC453215-T 1812 Ferrytowe wierzchołki i układy elektroniczne układu zintegrowanego EMI Filter EMI Suppression Patch Ceramics
|
HF70ACC453215-T 1812 Kulki ferrytowe i elementy elektroniczne zintegrowane obwód EMI EMI Ceramika EM
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G SOT-23-3 Statyczne tłumiące ESD Chip TVS Dioda dwukierunkowa
|
NUP2105LT1G SOT-23-3 STATYCZNY Chip TVS Diode Electronic Component Diodirectional ESD Rurka ochronna
|
|
|
|
|
|
BSS138LT1G SOT-23-3 Wysokiej jakości układ zintegrowany chip Komponent elektroniczny MOS Efekt pola tranzystor
|
BSS138LT1G SOT-23-3 Wysokiej jakości układ zintegrowany chip Komponent elektroniczny MOS Efekt pola
|
|
|
|
|
|
CDSOD323-T05C Drukowanie ekranowe 5C SOD-323-2 Elektrostatyczny tłumik / TVS Dioda Elektroniczny Komponent Przejściowy tłumik napięcia
|
CDSOD323-T05C Drukowanie ekranowe 5C SOD-323-2 Elektrostatyczny tłumik / TVS Dioda Elektroniczny Kom
|
|
|
|
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!