logo
Do domu > produkty > Tranzystor MOS > NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10

NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10

producent:
SK hynix
Opis:
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Efekt pola MOSFET 30V 8.2A N-kanałowy drukowanie ekranu 4C10
Kategoria:
Tranzystor MOS
Ceny:
CN¥1.44/pieces
Specyfikacje
Temperatura pracy:
-55 C ~ + 150 C, standard
Zestaw:
NTTFS4C10N
Opis:
Typ mocowania powierzchni, -
Rodzaj:
Tranzystor pola półprzewodnika tlenku metalu, MOSFET
D/C:
23+, 23+
Rodzaj opakowania:
Powierzchnia
Zastosowanie:
MOSFET Driver, wszelkiego rodzaju produkty elektroniczne
Rodzaj dostawcy:
pozostałe
Odsyłacz:
-
Dostępne media:
Zdjęcie
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
-
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
30 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
2,2 V @ 250a
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
Standard
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standard
Moc — maks:
790MW (TA), 23,6 W (TC)
Częstotliwość - Przejście:
Standard
Rodzaj montażu:
Mocowanie powierzchniowe, typ mocowania powierzchni
Opakowanie / Pudełko:
WDFN-8
Rezystor - Baza (R1):
Standard
Rezystor – podstawa emitera (R2):
Standard
Typ FET:
Standard
Funkcja FET:
Standard
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
Standard
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standard
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
Standard
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
Standard
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
Standard
Częstotliwość:
Standard
Prąd znamionowy (ampery):
Standard
Rysunek hałasu:
Standard
Moc - Wyjście:
Standard
Napięcie — znamionowe:
Standard
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
Standard
Vgs (maks.):
Standard
Typ IGBT:
Standard
konfiguracja:
Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
Standard
Wpływ:
Standard
Termistor NTC:
Standard
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS):
Standard
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standard
Pobór prądu (Id) — maks:
Standard
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id:
Standard
Rezystancja — RDS (wł.):
Standard
Napięcie - Wyjście:
Standard
Napięcie — przesunięcie (Vt):
Standard
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao):
Standard
Prąd - Dolina (Iv):
Standard
Obecny - Szczyt:
Standard
Typ tranzystora:
Singlefet, Mosfet
Nazwa produktu:
NTTFS4C10NTAG
Oryginalny zm:
Oryginalna marka
Szczegóły:
proszę skontaktuj się z nami
Wysyłka wg:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poczta
Wypłata:
Paypal Western Union T/T
Warunki:
Zupełnie nowy i oryginalny
Gwarancja:
365 dni gwarancji
Jakość:
Oryginalna wysoka jakość
napięcie:
Standard
Wnioski:
MOSFET
Podkreślić:

Tranzystor polowy 30V 8

,

2A

,

NTTFS4C10NTAG Tranzystor polowy

Wprowadzenie
 
Opis produktu
Rodzaj produktu:
MOSFET z półprzewodnikiem o działaniu pola tlenku metalu
Numer modelu:
NTTFS4C10NTAG
Zestaw:
NTTFS4C10N
Sprzedawca:
Włączony
Opakowanie:
WDFN-8
Zainstaluj styl:
Typ mocowania powierzchni
 
Nowe i oryginalne
NTTFS4C10NTAGWDFN-8 MOSFET z półprzewodnikiem o działaniu pola tlenku metalujest jednym z naszych najlepiej sprzedających się chipów IC
Osoba kontaktowa:
Panie Guo.
 
Tel:
+86 13434437778
 
E-mail:
XCDZIC@163.COM
 
Wechat:
0086 13434437778
 
Opakowanie i dostawa
Ilość (części)
1-100
100-1000
1000-10000
Czas przeprowadzenia (dni)
3-5
5-8
Do negocjacji
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
Profil przedsiębiorstwa
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
Częste pytania
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Tranzystor polowy 30V 8,2A N-kanałowy, sitodruk 4C10
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Transistor N Channel dla produktów elektronicznych

NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Transistor N Channel dla produktów elektronicznych

NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
IRF8714TRPBF SOP-8 N-kanałowy tranzystor polowy MOSFET IC Komponenty elektroniczne

IRF8714TRPBF SOP-8 N-kanałowy tranzystor polowy MOSFET IC Komponenty elektroniczne

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
ULN2003A Wysokonapięciowy Wysokonapękowy Transistor Darlington IC Dystrybucyjny Przełącznik Ładunkowy

ULN2003A Wysokonapięciowy Wysokonapękowy Transistor Darlington IC Dystrybucyjny Przełącznik Ładunkowy

High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
AP3010 SOP-8 Tranzystor MOS FET z nadrukiem sitowym o napięciu przebicia 30V 10A

AP3010 SOP-8 Tranzystor MOS FET z nadrukiem sitowym o napięciu przebicia 30V 10A

AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
SI2301CDS-T1-GE3 P Kanał MOSFET FET Chip Komponenty elektroniczne IC SOT-23 Opakowanie

SI2301CDS-T1-GE3 P Kanał MOSFET FET Chip Komponenty elektroniczne IC SOT-23 Opakowanie

SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor całkowicie nowy i oryginalny

BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor całkowicie nowy i oryginalny

BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
S9014 0,15A 50V NPN Transistor niskiej mocy SOT-23 oryginalny produkt półprzewodnikowy dyskretny

S9014 0,15A 50V NPN Transistor niskiej mocy SOT-23 oryginalny produkt półprzewodnikowy dyskretny

S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC

Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC

Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N Channel Through Hole Mounting

FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N Channel Through Hole Mounting

Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
BTA100-800B TO-4 Triak duży mocy tyrystor 800V 100A Reguluje dwukierunkowy tyrystor AC

BTA100-800B TO-4 Triak duży mocy tyrystor 800V 100A Reguluje dwukierunkowy tyrystor AC

Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
Obraz część # Opis
NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Transistor N Channel dla produktów elektronicznych

NCEP15T14D TO-263 150V 140A MOSFET Transistor N Channel dla produktów elektronicznych

NCEP15T14D TO-263 N-channel 150V 140A power MOSFET FET
IRF8714TRPBF SOP-8 N-kanałowy tranzystor polowy MOSFET IC Komponenty elektroniczne

IRF8714TRPBF SOP-8 N-kanałowy tranzystor polowy MOSFET IC Komponenty elektroniczne

IRF8714TRPBF SOP-8 N Channel MOS Field Effect Transistor IC Electronic Components Completely New Original
ULN2003A Wysokonapięciowy Wysokonapękowy Transistor Darlington IC Dystrybucyjny Przełącznik Ładunkowy

ULN2003A Wysokonapięciowy Wysokonapękowy Transistor Darlington IC Dystrybucyjny Przełącznik Ładunkowy

High Voltage and High Current Darlington Transistor IC ULN2003A SOP-16 Distribution Switch Load Driver
AP3010 SOP-8 Tranzystor MOS FET z nadrukiem sitowym o napięciu przebicia 30V 10A

AP3010 SOP-8 Tranzystor MOS FET z nadrukiem sitowym o napięciu przebicia 30V 10A

AP3010 SOP-8 Screen-printed 3010 N-channel MOS FET withwithstand voltage of 30V 10A
SI2301CDS-T1-GE3 P Kanał MOSFET FET Chip Komponenty elektroniczne IC SOT-23 Opakowanie

SI2301CDS-T1-GE3 P Kanał MOSFET FET Chip Komponenty elektroniczne IC SOT-23 Opakowanie

SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P channel patch MOSFET FET chip IC electronic components
BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor całkowicie nowy i oryginalny

BT138-600E TO-220 MOSFET Transistor 12A 600V Thyristor całkowicie nowy i oryginalny

BT138-600E TO-220 Electronic Component Triac 12A 600V Thyristor Brand New and Original
S9014 0,15A 50V NPN Transistor niskiej mocy SOT-23 oryginalny produkt półprzewodnikowy dyskretny

S9014 0,15A 50V NPN Transistor niskiej mocy SOT-23 oryginalny produkt półprzewodnikowy dyskretny

S9014 0.15A 50V NPN low power transistor SOT-23 transistor original discrete semiconductor product
Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC

Tip42c TO-220 PNP Power Transistor Electronic Component Audio Power Amplifier Tube IC

Tip42c TO-220 PNP power transistor electronic component audio power amplifier tube IC brand new and original
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N Channel Through Hole Mounting

FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor N Channel Through Hole Mounting

Novel Transistor FDP18N50 TO-220 18A/500V N-channel FET MOS Transistor
BTA100-800B TO-4 Triak duży mocy tyrystor 800V 100A Reguluje dwukierunkowy tyrystor AC

BTA100-800B TO-4 Triak duży mocy tyrystor 800V 100A Reguluje dwukierunkowy tyrystor AC

Transistor BTA100-800B TO-4 High-power triac thyristor 800V 100A regulates bidirectional AC thyristor
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: