NTTFS4C10NTAG WDFN-8 フィールド効果トランジスタ 30V 8.2A Nチャネルスクリーンプリント 4C10
メーカー:
SK HYNIX
記述:
NTTFS4C10NTAG WDFN-8フィールド効果 MOSFET 30V 8.2A Nチャネルスクリーンプリント 4C10
カテゴリー:
MOSのトランジスター
価格:
CN¥1.44/pieces
仕様
動作温度:
-55°C~+150°C 標準
シリーズ:
NTTFS4C10N
記述:
表面実装タイプ、-
タイプ:
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、MOSFET
D/C:
23歳以上
パッケージの種類:
表面マウント
適用する:
MOSFETドライバー,あらゆる種類の電子製品
供給者の種類:
ほか
クロス参照:
-
入手可能なメディア:
写真
電流 - コレクター (Ic) (最大):
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
30V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
2.2V @ 250A
電流 - コレクターの切断値 (最大):
スタンダード
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
スタンダード
パワー - マックス:
790mW(Ta), 23.6W(Tc)
頻度 - 移行:
スタンダード
マウントタイプ:
表面マウント 表面マウントタイプ
パッケージ/ケース:
WDFN-8
抵抗 - ベース (R1):
スタンダード
レジスタ - エミッターベース (R2):
スタンダード
FETタイプ:
スタンダード
FETの特徴:
スタンダード
流出電圧から源電圧 (Vdss):
スタンダード
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
スタンダード
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
スタンダード
Vgs(th) (最大) @ Id:
スタンダード
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
スタンダード
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
スタンダード
頻度:
スタンダード
定位電流 (アンプ):
スタンダード
騒音数:
スタンダード
電力 - 輸出:
スタンダード
定数電圧:
スタンダード
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:
スタンダード
Vgs (最大):
スタンダード
IGBTタイプ:
スタンダード
構成:
スタンダード
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
スタンダード
インプット:
スタンダード
NTC サーミストール:
スタンダード
電圧-故障（V （BR） GSS）:
スタンダード
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）:
スタンダード
現在の下水管（ID最高） -:
スタンダード
電圧-締切り（VGS） @ ID:
スタンダード
抵抗- RDS （）:
スタンダード
電圧 - 出力:
スタンダード
電圧-オフセット（Vt）:
スタンダード
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート:
スタンダード
現在-谷（iv）:
スタンダード
現在-ピーク:
スタンダード
トランジスタタイプ:
singleFET,MOSFET
製品名:
NTTFS4C10NTAG
元のfromm:
元のブランド
Detalis:
連絡してください.
輸送する:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト
支払い:
パイパール ウェスタンユニオン
条件:
新品とオリジナル
保証:
365日保証
品質:
原作 高品質
電圧:
スタンダード
申請:
MOSFET
ハイライト:
フィールド効果トランジスタ 30V 8.2A
,NTTFS4C10NTAG フィールド効果トランジスタ
,NTTFS4C10NTAG feトランジスタ
紹介
製品説明
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製品種類:
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メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタMOSFET
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モデル番号:
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NTTFS4C10NTAG
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シリーズ:
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NTTFS4C10N
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|
販売者:
|
オン
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パッケージ:
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WDFN-8
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スタイルをインストールする:
|
表面マウントタイプ
|
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新品とオリジナル
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NTTFS4C10NTAGWDFN-8 メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタMOSFETICチップの1つです
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連絡先:
|
グオさん
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テレフォン:
|
+86 13434437778
|
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メール:
|
XCDZIC@163.COM について
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ウェチャット:
|
0086 13434437778
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梱包と配送
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量 (数枚)
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1〜100
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100から1000
|
1000から10000
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実施期間 (日数)
|
3 から 5
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5 から 8
|
交渉する
|
会社プロフィール
よくある質問
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