NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor ad effetto campo 30V 8.2A N-Channel Screen Printing 4C10
fabbricante:
SK HYNIX
Descrizione:
NTTFS4C10NTAG Effetto campo WDFN-8 MOSFET 30V 8.2A Stampa a schermo a canale N 4C10
Categoria:
MOS Transistor
Prezzo:
CN¥1.44/pieces
Specificità
Temperatura di funzionamento:
-55 C ~ + 150 C, standard
Serie:
NTTFS4C10N
Descrizione:
Tipo di montaggio superficiale, -
Tipo:
Transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, MOSFET
D/C:
23+, 23+
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale
Applicazione:
Driver MOSFET, Tutti i tipi di prodotti elettronici
Tipo di fornitore:
altri
Riferimenti incrociati:
-
Media disponibili:
Fotografia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
30 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
2.2V @ 250A
Corrente - limite del collettore (massimo):
Norme
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
Norme
Potenza - Max:
790 mW(Ta),23.6W ((Tc)
Frequenza - Transizione:
Norme
Tipo di montaggio:
Tipo di montaggio di superficie
Confezione / Cassa:
WDFN-8
Resistenza - Base (R1):
Norme
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
Norme
Tipo di FET:
Norme
Caratteristica del FET:
Norme
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
Norme
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
Norme
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Norme
Vgs(th) (Max) @ Id:
Norme
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
Norme
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
Norme
Frequenza:
Norme
Corrente nominale (ampere):
Norme
Figura del rumore:
Norme
Potenza - Output:
Norme
Voltaggio nominale:
Norme
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Norme
Vgs (Max):
Norme
Tipo IGBT:
Norme
Configurazione:
Norme
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
Norme
Input:
Norme
Termistor NTC:
Norme
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Norme
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Norme
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Norme
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Norme
Resistenza - RDS (sopra):
Norme
Voltaggio - uscita:
Norme
Tensione - contrappeso (VT):
Norme
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Norme
Corrente - valle (iv):
Norme
Corrente - picco:
Norme
Tipo di transistor:
singleFET,MOSFET
Nome del prodotto:
NTTFS4C10NTAG
Originale da:
Marca originale
Detalis:
Si prega di contattarci
Spedizione da::
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Pagamento:
Paypal Western Union bonifico bancario
Condizione:
Nuovo di zecca e originale
Garanzia:
Garanzia di 365 giorni
Qualità:
Originale di alta qualità
Voltaggio:
Norme
Applicazioni:
MOSFET
Evidenziare:
Transistor ad effetto campo 30V 8.2A
,Transistor a effetto campo NTTFS4C10NTAG
,Transistor NTTFS4C10NTAG fe
Introduzione
Descrizione del prodotto
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Tipo di prodotto:
|
Transistor a effetto campo di ossido metallico MOSFET
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Numero di modello:
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NTTFS4C10NTAG
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Serie:
|
NTTFS4C10N
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Venditore:
|
Attivo
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Imballaggio:
|
WDFN-8
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Installare lo stile:
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Tipo di montaggio superficiale
|
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|
Nuovo e originale
|
NTTFS4C10NTAGWDFN-8 Transistor a effetto campo di ossido metallico MOSFETè uno dei nostri chip IC più venduti
|
Persona di contatto:
|
Signor Guo.
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Telefono:
|
+86 13434437778
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Email:
|
XCDZIC@163.COM
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Wechat:
|
0086 13434437778
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Imballaggio e consegna
|
Quantità (piezze)
|
1-100
|
100-1000
|
1000-10000
|
|
Tempo di consegna (giorni)
|
3-5
|
5-8
|
Da negoziare
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Profilo aziendale
Domande frequenti
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