MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263
Specificità
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C
Serie:
OptiMOS 3
Descrizione:
MOSFET
Tipo:
MOSFET
D/C:
23+
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale
Applicazione:
Driver MOSFET, Tutti i tipi di prodotti elettronici
Tipo di fornitore:
Agenzia, rivenditore
Riferimenti incrociati:
Contatto per i dettagli
Media disponibili:
foglio dati
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
Stabile
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
Stabile
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
Stabile
Corrente - limite del collettore (massimo):
Stabile
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
Stabile
Potenza - Max:
Stabile
Frequenza - Transizione:
Stabile
Tipo di montaggio:
Supporto di superficie, supporto di superficie
Confezione / Cassa:
TO-263
Resistenza - Base (R1):
Stabile
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
Stabile
Tipo di FET:
Norme
Caratteristica del FET:
Stabile
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
150 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Stabile
Vgs(th) (Max) @ Id:
Stabile
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
Stabile
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
Stabile
Frequenza:
Stabile
Corrente nominale (ampere):
100A
Figura del rumore:
Stabile
Potenza - Output:
Stabile
Voltaggio nominale:
Stabile
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On):
Stabile
Vgs (Max):
Stabile
Tipo IGBT:
Stabile
Configurazione:
Stabile
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Stabile
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
Stabile
Input:
Stabile
Termistor NTC:
Stabile
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
Stabile
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Stabile
Scolo corrente (identificazione) - massima:
Stabile
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
Stabile
Resistenza - RDS (sopra):
Stabile
Voltaggio - uscita:
Stabile
Tensione - contrappeso (VT):
Stabile
Corrente - portone a perdita dell'anodo (Igao):
Stabile
Corrente - valle (iv):
Stabile
Corrente - picco:
Stabile
Tipo di transistor:
Norme
Nome del prodotto:
Transistor del Mosfet di potere
V(DS):
150 V
R(DS on):
7.2 mOhms
Ptot (massimo):
300 W
Marcatura:
072N15N
Dimensione dell'imballaggio:
1000
Pagamento:
T/T
Spedizione da::
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Detalis:
Si prega di contattarci
Evidenziare:
transistor mos originale
,transistor mos fet originale
,Transistor a 150 V
Introduzione
Descrizione del prodotto
Tipo di prodotto: | MOSFET di potenza di canale N |
Numero di modello: | IPB072N15N3G |
Serie: | OptiMOS 3 |
Venditore: | Infineon |
Imballaggio: | TO-263 |
Installare lo stile: | Montaggio di superficie |
Nuovo e originale |
IPB072N15N3GTO-263 MOSFET di potenza di canale Nè uno dei nostri chip IC più venduti
Persona di contatto: | Signor Guo. | ||
Telefono: | +86 13434437778 | ||
Email: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 |
Imballaggio e consegna
Quantità (piezze) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Tempo di consegna (giorni) | 3-5 | 5-8 | Da negoziare |




Profilo aziendale











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