MOSFET de transistores de 150 V IPB072N15N3G OT-263
Descrição:
MOSFET de transistores de 150 V IPB072N15N3G OT-263
Categoria:
MOS Transistor
Preço:
CN¥1.44/pieces
Especificações
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C
Série:
OptiMOS 3
Descrição:
MOSFET
Tipo:
MOSFET
D/C:
23+
Tipo de embalagem:
Montagem de superfície
Aplicação:
Motor MOSFET, Todos os tipos de produtos eletrónicos
Tipo de fornecedor:
Agência, retalhista
Referências cruzadas:
Contato para detalhes
Mídia disponível:
Folha de dados
Corrente - colector (Ic) (máximo):
Estável
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
Estável
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
Estável
Corrente - limite do colector (máximo):
Estável
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Estável
Potência - Máximo:
Estável
Frequência - Transição:
Estável
Tipo de montagem:
Montagem de superfície, montagem de superfície
Embalagem / Caixa:
TO-263
Resistência - Base (R1):
Estável
Resistência - Base do emissor (R2):
Estável
Tipo de FET:
Padrão
Característica do FET:
Estável
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
150 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Estável
Vgs(th) (Max) @ Id:
Estável
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Estável
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
Estável
Frequência:
Estável
Câmbio de corrente nominal (Amp):
100A
Figura de ruído:
Estável
Potência - saída:
Estável
Voltagem nominal:
Estável
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
Estável
Vgs (máximo):
Estável
Tipo IGBT:
Estável
Configuração:
Estável
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Estável
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
Estável
Input:
Estável
Termistor NTC:
Estável
Tensão - divisão (V (BR) GSS):
Estável
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Estável
Dreno atual (identificação) - máxima:
Estável
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @:
Estável
Resistência - RDS (sobre):
Estável
Voltagem - Saída:
Estável
Tensão - offset (Vt):
Estável
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao):
Estável
Atual - vale (iv):
Estável
Atual - pico:
Estável
Tipo de transistor:
Padrão
Nome do produto:
Transistor do Mosfet do poder
V ((DS):
150 V
R(DS em):
7.2 mOhms
Ptot (máximo):
300 W
Marcação:
072N15N
Tamanho da embalagem:
1000
Pagamento:
T/T
Transporte por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Detalis:
Por favor, entre em contacto connosco.
Destacar:
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,Transistores de mosfet originais
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Introdução
Descrição do produto
Tipo de produto: | MOSFET de potência de canal N |
Número do modelo: | IPB072N15N3G |
Série: | OptiMOS 3 |
Vendedor: | Infineon |
Embalagem: | TO-263 |
Instale o estilo: | Instalação de superfície |
Novos e originais |
IPB072N15N3GTO-263 MOSFET de potência de canal Né um dos nossos chips IC mais vendidos
Pessoa de contacto: | Sr. Guo. | ||
Telefone: | +86 13434437778 | ||
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Embalagem e entrega
Quantidade ((peças) | 1 a 100 | 100 a 1000 | 1000-10000 |
Tempo de execução (dias) | 3-5 | 5 a 8 | A negociar |
Perfil da empresa
Perguntas frequentes
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