Original-IC N-Kanal-Leistung MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263
Beschreibung:
Original-IC N-Kanal-Leistung MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263
Kategorie:
MOS Transistor
Preis:
CN¥1.44/pieces
Spezifikationen
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 175 °C
Reihe:
OptiMOS 3
Beschreibung:
MOSFET
Typ:
MOSFET
D/C:
23+
Art der Packung:
Oberflächenbefestigung
Anwendung:
MOSFET-Treiber, alle Arten von elektronischen Produkten
Lieferantenart:
Agentur, Einzelhändler
Kreuzbezüge:
Kontakt für Details
Verfügbare Medien:
Datenblatt
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
Stabil
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
Stabil
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
Stabil
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Stabil
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Stabil
Leistung - Max.:
Stabil
Häufigkeit - Übergang:
Stabil
Art der Montage:
Oberflächenberg, Oberflächenberg
Packung / Gehäuse:
TO-263
Widerstand - Basis (R1):
Stabil
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Stabil
FET-Typ:
Standards
Fet-Eigenschaft:
Stabil
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
150 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Stabil
Vgs(th) (Max) @ Id:
Stabil
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Stabil
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Stabil
Häufigkeit:
Stabil
Leistungsbewertung (Ampere):
100A
Geräuschwerte:
Stabil
Leistung - Leistung:
Stabil
Nennspannung:
Stabil
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Stabil
Vgs (maximal):
Stabil
IGBT-Typ:
Stabil
Ausstattung:
Stabil
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Stabil
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Stabil
Eingabe:
Stabil
NTC-Thermistor:
Stabil
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Stabil
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Stabil
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Stabil
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Stabil
Widerstand - RDS (an):
Stabil
Spannung - Ausgang:
Stabil
Spannung - Ausgleich (Vt):
Stabil
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Stabil
Gegenwärtig - Tal (iv):
Stabil
Gegenwärtig - Spitze:
Stabil
Transistortyp:
Standards
Produktbezeichnung:
Energie Mosfet-Transistor
V(DS):
150 V
R(DS eingeschaltet:
7.2 mOhms
Ptot (max):
300 W
Markierung:
072N15N
Verpackungsgröße:
1000
Zahlung:
T/T
Versand durch:
DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Detalis:
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Hervorheben:
Original Mos Transistor
,Original Mosfet Transistor
,150 V-Transistoren
Einleitung
Beschreibung des Produkts
Produktart: | N-Kanal-Stromversorgungs-MOSFET |
Modellnummer: | IPB072N15N3G |
Reihe: | OptiMOS 3 |
Lieferant: | Infineon |
Verpackung: | TO-263 |
Installieren Sie den Stil: | Oberflächenbefestigung |
Neu und originell |
IPB072N15N3GTO-263 N-Kanal-Stromversorgungs-MOSFETist einer unserer meistverkauften IC-Chips
Kontaktperson: | - Ich bin nicht hier. | ||
Tel: | +86 13434437778 | ||
E-Mail: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Verpackung und Lieferung
Menge (Stück) | 1 bis 100 | 100 bis 1000 | 1000 bis 10000 |
Vorlaufzeit (Tage) | 3-5 Jahre | 5 bis 8 | Unterhandelbar |
Unternehmensprofil
Häufig gestellte Fragen
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