MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263 de canal N de circuito integrado original
Descripción:
MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263 de canal N de circuito integrado original
Categoría:
MOS Transistor
Precio:
CN¥1.44/pieces
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C
Serie:
OptiMOS 3
Descripción:
MOSFET
El tipo:
MOSFET
D/C:
23+
Tipo de paquete:
Montura de la superficie
Aplicación:
El conductor de MOSFET, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor:
Agencia, minorista
Referencias cruzadas:
Contacto para los detalles
Medios disponibles:
hoja de datos
Corriente - colector (Ic) (máximo):
Establemente
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Establemente
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Establemente
Corriente - límite del colector (máximo):
Establemente
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Establemente
Potencia - máximo:
Establemente
Frecuencia - Transición:
Establemente
Tipo de montaje:
Soporte superficial, soporte superficial
Envase / estuche:
TO-263
Resistencia - Base (R1):
Establemente
Resistencia - Base del emisor (R2):
Establemente
Tipo de FET:
Estándar
Característica del FET:
Establemente
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Las demás:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Establemente
Vgs(th) (máximo) @ Id:
Establemente
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Establemente
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Establemente
Frecuencia:
Establemente
Clasificación de corriente (amperios):
Las demás:
Figura del ruido:
Establemente
Potencia - Producción:
Establemente
Voltado nominal:
Establemente
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
Establemente
Vgs (máximo):
Establemente
Tipo de IGBT:
Establemente
Configuración:
Establemente
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
Establemente
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
Establemente
Ingreso:
Establemente
El termistor NTC:
Establemente
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Establemente
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Establemente
Dren actual (identificación) - máxima:
Establemente
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Establemente
Resistencia - RDS (encendido):
Establemente
Voltado - Salida:
Establemente
Voltaje - compensación (Vt):
Establemente
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
Establemente
Actual - valle (iv):
Establemente
Actual - pico:
Establemente
Tipo de transistor:
Estándar
Nombre del producto:
Transistor del Mosfet del poder
V ((DS):
Las demás:
R(DS encendido):
7.2 mOhms
Ptot (máximo):
300 W
Marcado:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el número de certificado de conformidad será el siguiente
Tamaño del embalaje:
1000
Pago:
T/T
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Detalis:
Póngase en contacto con nosotros.
Resaltar:
Transistores de mos originales
,Transistores de mosfet originales
,Transistores de 150 V
Introducción
Descripción del producto
Tipo de producto: | MOSFET de potencia de canal N |
Número de modelo: | IPB072N15N3G |
Serie: | OptiMOS 3 |
Proveedor: | Infineon |
Embalaje: | TO-263 |
Instalar el estilo: | Montaje en superficie |
Nuevo y original |
IPB072N15N3GTO-263 MOSFET de potencia de canal Nes uno de nuestros chips de circuito integrado más vendidos
Persona de contacto: | Sr. Guo | ||
Tel: | +86 13434437778 | ||
Correo electrónico: | XCDZIC@163.COM | ||
Wechat: | 0086 13434437778 | ||
Embalaje y entrega
Cantidad (piezas) | 1-100 | 100-1000 | 1000-10000 |
Plazo de entrega (días) | 3-5 | 5-8 | A negociar |
Perfil de la empresa
Preguntas frecuentes
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Las existencias:
Cuota de producción: