Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR
18. Oktober 2025 — Vor dem Hintergrund der zunehmenden Komplexität in der industriellen Automatisierung und elektronischen Systemen für Kraftfahrzeuge gibt es erhöhte Anforderungen an die Umweltverträglichkeit und Betriebsstabilität von Schlüsselkomponenten der Signalverarbeitung. Als eine der Lösungen für Anwendungen in rauen Umgebungen bietet der duale Spannungskomparator LM193DR mit seinem erweiterten industriellen Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C und einer Eingangs-Offsetspannung von nur ±1 mV (typisch) zuverlässige Spannungserkennung und Signalvergleichsmöglichkeiten für die Luft- und Raumfahrt, Automobilmotorantriebe und hochpräzise industrielle Sensorsysteme.
I. Chip-Einführung
Der LM193DR ist ein monolithischer integrierter Schaltkreis, der zwei unabhängige Präzisionsspannungskomparatoren integriert. Dieses in einem SOIC-8-Gehäuse untergebrachte Gerät zeichnet sich durch geringe Leistungsaufnahme, hohe Genauigkeit und einen extrem weiten Betriebstemperaturbereich aus, während es gleichzeitig direkt mit TTL-, CMOS- und MOS-Logikschnittstellen kompatibel ist.
Kernmerkmale und Vorteile:
Extrem weiter Temperaturbereich: Voller Betrieb von -55 °C bis +125 °C
Geringe Eingangs-Offsetspannung: Typischerweise ±1 mV, maximal ±2 mV
Geringer Eingangsruhestrom: Typischerweise 25 nA
Großer Betriebsspannungsbereich: Einzelversorgung 2 V bis 36 V
Low-Power-Design: Ruhestrom ca. 0,8 mA pro Komparator
Typische Anwendungsbereiche:
Luft- und Raumfahrt-Steuerungssysteme
Elektronische Steuergeräte (ECUs) für Kraftfahrzeuge
Industrielle Prozessleittechnik
Hochpräzise Sensorschnittstellen
II. Funktionsblockdiagrammanalyse des Einzelkomparators
Übersicht über die Kernarchitektur
Der LM193DR verwendet eine klassische Bipolartransistorarchitektur, wobei jeder Komparator aus einer kompletten Differenzeingangsstufe, einer Verstärkerstufe und einer Ausgangsstufe besteht, wodurch eine stabile Vergleichsgenauigkeit über einen weiten Temperaturbereich gewährleistet wird.
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Analyse der wichtigsten Funktionsmodule
1. Differenzverstärker-Eingangsstufe
Kernstruktur: Q1 und Q2 bilden ein PNP-Differenzeingangspaar
Bias-Design: Q15 bildet eine Konstantstromquelle und liefert einen stabilen Betriebsstrom
Schutzmechanismen:
D3 und D4 implementieren einen Eingangs-Clamp-Schutz
Gleichtaktspannungsbegrenzungsschaltung
Leistungsmerkmale:
Eingangsruhestrom: Typischerweise 25 nA
Eingangs-Offsetspannung: Typischerweise ±1 mV
Der Gleichtakteingangsbereich umfasst das Erdungspotenzial
2. Bias- und Referenznetzwerk
Stromspiegelstruktur: Q9-Q12 und Q14 bilden eine Präzisions-Bias-Schaltung
Temperaturkompensation: Eingebaute Kompensation sorgt für Stabilität über den gesamten Temperaturbereich
Pegelverschiebung: D1 und D2 liefern stabile Spannungsreferenzen
3. Zwischenverstärkerstufe
Verstärkerschaltung: Q3, Q4 usw. bilden eine Emitter-Basisschaltung
Funktionale Implementierung:
Bietet primäre Spannungsverstärkung
Wandelt Differenz- in unsymmetrische Signale um
Steuert den Betrieb der Ausgangsstufe
4. Ausgangstreiberstufe
Ausgangsstruktur: Open-Collector-Ausgangsdesign
Kernkomponente: Q13 dient als Ausgangstreibertransistor
Schutzschaltung: Integrierter ESD-Schutz
Hauptmerkmale:
Ausgangssättigungsspannung: Typischerweise 130 mV
Kompatibel mit TTL/CMOS-Logikpegeln
Benötigt einen externen Pull-up-Widerstand
Signalleitungsanalyse
Nichtinvertierender Eingang → Q2 → Pegelverschiebung → Verstärkerstufe → Ausgangstreiber Invertierender Eingang → Q1 → Pegelverschiebung → Verstärkerstufe → Ausgangstreiber
Wichtige Leistungsparameter
Präzisionsmerkmale
Spannungsverstärkung: Typischerweise 200 V/mV
Ansprechzeit: 1,3 μs (Vcc=5V)
Gleichtakteingangsbereich: 0 V bis Vcc-1,5 V
Zuverlässigkeitsmerkmale
Betriebstemperatur: -55℃ bis +125℃
ESD-Schutz: >2000 V
Langzeitstabilität:<0,5 μV/Monat
Zusammenfassung der Designvorteile
Diese Architektur verkörpert die Designphilosophie hochzuverlässiger analoger integrierter Schaltungen:
Umweltverträglichkeit: Behält stabile Leistung über weite Temperaturbereiche bei
Präzisionssicherung: Ausgeklügeltes Bias- und Kompensationsdesign
Systemkompatibilität: Flexible Schnittstellen- und Ausgangskonfiguration
Zuverlässiger Betrieb: Umfassende eingebaute Schutzmechanismen
Dieses Funktionsblockdiagramm bietet die technische Grundlage für das Verständnis der Funktionsweise des LM193DR in extremen Umgebungen und eignet sich besonders für die Designverifizierung in hochzuverlässigen Anwendungsszenarien wie der Luft- und Raumfahrt und der Automobilelektronik.
III. PCB-Layout-Design-Leitfaden
Pin-Konfiguration und Funktionsanalyse
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Details zur Pin-Funktion:
Pin 1 (1OUT): Komparator A-Ausgang
Open-Collector-Ausgang, erfordert einen externen Pull-up-Widerstand
Pin 2 (1IN-): Komparator A Invertierender Eingang
Pin 3 (1IN+): Komparator A Nichtinvertierender Eingang
Pin 4 (GND): Erdungsanschluss
Pin 5 (2IN+): Komparator B Nichtinvertierender Eingang
Pin 6 (2IN-): Komparator B Invertierender Eingang
Pin 7 (2OUT): Komparator B-Ausgang
Pin 8 (Vcc): Positive Versorgung (2 V bis 36 V)
Kernpunkte des PCB-Layouts
Eingangssignalverarbeitung
Eingangswiderstände nahe am Bauteil platzieren: Abstand innerhalb von 2 mm kontrollieren
Symmetrisches Layout: Differenzsignale verwenden ein Design mit gleich langen Leiterbahnen
Abschirmungsschutz: Empfindliche Eingangssignale werden von Erdungsbahnen umgeben
Design der Stromversorgungsentkopplung
Entkopplungskondensatoren platzieren <3 mm von den Pins entfernt
Breite der Stromversorgungsleiterbahn ≥0,5 mm
Zonen-Layout-Strategie
1. Eingangssignalzone
Eingangsfilterkomponenten neben den entsprechenden Pins
Parallele Führung von Eingangs- und Ausgangsleitungen vermeiden
Hochfrequenzsignale mit Erdungsebenen isolieren
2. Energiemanagementzone
Entkopplungskondensatoren in versetzten Schichten platzieren
Stromleitungen von empfindlichen Signalen wegführen
Vollständige Erdungsrückpfade sicherstellen
3. Ausgangstreiberzone
Pull-up-Widerstände nahe an den Ausgangspins platzieren
Breite der Ausgangsleiterbahn entsprechend dem Laststrom auslegen
Testpunkte für die Debugging-Bequemlichkeit reservieren
Maßnahmen zur Störunterdrückung
Rauschunterdrückung
Parallele kleine Kondensatoren (10-100 pF) an kritischen Eingangspins
Signalleitungen von Takten und Schaltnetzteilen fernhalten
Verwendung vollständiger Erdungsebenen
Wärmemanagement-Design
Vollständige Nutzung der PCB-Kupferfolie zur Wärmeableitung
Hinzufügen von thermischen Vias in Hochtemperaturanwendungen
Ausreichend Platz um die Komponenten herum einhalten
Anforderungen an den Herstellungsprozess
Design für die Fertigung
Pad-Abmessungen entsprechen den IPC-7351-Standards
Der Bauteilabstand erfüllt die Anforderungen der automatisierten Produktion
Klare Siebdruckkennzeichnung der Pin-Funktionen
Inspektionsstandards
Lötstellenqualität: IPC-A-610 Klasse 2
Ausrichtungsgenauigkeit: ±0,1 mm
Koplanarität: Pin-Höhenvariation ≤0,1 mm
Diese Layoutlösung gewährleistet den stabilen Betrieb des LM193DR über den gesamten Temperaturbereich von -55℃ bis +125℃, indem sie die Signalintegrität, die Stromintegrität und das Wärmemanagement optimiert und die anspruchsvollen Anforderungen der Luft- und Raumfahrt, der Automobilelektronik und anderer hochstandardisierter Anwendungen erfüllt.
IV. PCB-Pad-Layout- und Lötmasken-Design-Leitfaden
Kernspezifikationen für das Pad-Layout
Grundlegende Abmessungsparameter
Anzahl der Pins: 8-Pin-Standardkonfiguration
Pad-Breite: 0,45 mm (passt genau zu den Pin-Abmessungen)
Pad-Länge: 1,5 mm (bietet ausreichend Lötfläche)
Pin-Abstand: 0,65 mm (Standard-Abstand-Design)
Paketspanne: 5,8 mm (insgesamt symmetrisches Layout)
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Anforderungen an das Symmetrie-Design
Vollständig symmetrisches Layout basierend auf der Mittellinie
Alle Abmessungen halten strenge Fertigungstoleranzen ein
Gleichmäßige Wärmeverteilung während des Lötens sicherstellen
Standards für das Lötmasken-Design
Nicht-Lötmasken-definiert (NSMD) - Empfohlene Lösung
Strukturelle Merkmale:
Metallpads vollständig freigelegt
Lötmaskenöffnungen größer als die Pad-Abmessungen
Lötmaskenöffnungen 0,05 mm größer als Pads pro Seite
Vorteilhafte Eigenschaften:
Reduziert die Spannungskonzentration
Verbessert die Lötzuverlässigkeit
Erleichtert die Prozesskontrolle
Lötmasken-definiert (SMD) - Alternative Lösung
Lötmaskenöffnungen passen genau zu den Pad-Abmessungen
Metallschicht teilweise von der Lötmaske bedeckt
Geeignet für hochdichte Routing-Designs
Wichtige Designparameter
Steuerung der Maßtoleranz
Pad-Positionstoleranz: ±0,05 mm
Ausrichtungsgenauigkeit der Lötmaske: ±0,05 mm
Gesamtsymmetrieabweichung: ≤0,1 mm
Spezifikationen der Metallschicht
Basiskupferfoliendicke: 1oz (35 μm)
Empfohlene Oberflächenausführung: ENIG/Immersion Gold
Pad-Kantenbehandlung mit abgerundeten Ecken
Anforderungen an den Herstellungsprozess
Schablonen-Designparameter
Breite: 0,4-0,45 mm (90-100 % der Pin-Breite)
Länge: 1,4-1,5 mm
Schablonendicke: 0,1-0,15 mm
Steuerung des Lötprozesses
Lotpastentyp: Typ III bleifrei
Reflow-Spitzentemperatur: 245-255 °C
Aufheizrate: 1-3 °C/Sekunde
Qualitätsverifizierungsstandards
Herstellbarkeitsprüfung
Pad-Abstand ≥0,2 mm
Lötmaskenbrückenbreite ≥0,1 mm
Abstand zwischen Siebdruck und Pad ≥0,1 mm
Zuverlässigkeitsprüfung
Thermischer Zyklustest: -55℃ bis 125℃
Lötstellenfestigkeit: Entspricht IPC-9701
Sichtprüfung: Erfüllt IPC-A-610 Klasse 2/3
Dieser Designleitfaden bietet umfassende technische Spezifikationen für das PCB-Design des LM193DR in hochzuverlässigen Anwendungen wie der Luft- und Raumfahrt und der Automobilelektronik und gewährleistet einen langfristig stabilen Betrieb in rauen Umgebungen.
V. Gehäuseabmessungen und Strukturanalyse
Hauptabmessungen des Gehäuseumrisses
Hauptprofilabmessungen
Gehäuselänge: 1,90 - 2,10 mm
Gehäusebreite: 0,70 - 0,80 mm
Gehäusehöhe: 0,18 - 0,32 mm (Pin-Dicke)
Auflageebene: 0,08 mm Referenzebene
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Parameter der Pin-Struktur
Pin-Breite: 0,18 - 0,32 mm
Pin-Länge: 0,20 - 0,40 mm
Pin-Abstand: 6 × 0,50 mm Standardabstand
Seitenwandmetallstärke: 0,10 mm typischer Wert
Besondere strukturelle Merkmale
Pin 1 Identifikationsbereich
45 ° Abschrägungsdesign, Breite 0,25 mm
Bietet eine klare Polaritätsidentifizierung
Erleichtert die automatisierte optische Inspektion
Wärmepad-Design
Freiliegendes Wärmepad: Befindet sich an der Unterseite des Gehäuses
Wärmeverbesserte Struktur: Verbessert die Wärmeableitungsfähigkeit
Lötanforderungen: Benötigt guten Kontakt mit der Leiterplatte
Pin-Form-Optionen
Option 1: Standard-Gull-Wing-Leads
Option 2: Alternative Anschlussformen
Steuerung der Maßtoleranz
Primäre Abmessungen: ±0,05 mm Standardtoleranz
Kritische Abmessungen: ±0,10 mm enge Toleranz
Kumulative Toleranz: 0,050 mm maximale Abweichung
Richtlinien zur Anpassung des PCB-Designs
Empfehlungen für das Pad-Design
Pad-Breite: 0,22 - 0,32 mm (passend zu den Pin-Abmessungen)
Pad-Länge: 0,70 - 0,91 mm
Abstandswartung: 0,18 mm Mindestabstand
Wärmemanagement-Design
Volle Kupferabdeckung im Wärmepadbereich
Empfohlene Verwendung von thermischen Via-Arrays
Effiziente Wärmeleitpfade sicherstellen
Qualitätsverifizierungsstandards
Anforderungen an die Sichtprüfung
Koplanarität der Pins: ≤ 0,10 mm
Ausrichtungsgenauigkeit der Pads: ± 0,05 mm
Integrität der Oberflächenbehandlung: Keine Oxidation, keine Kontamination
Zuverlässigkeitstests
Temperaturwechsel: -55℃ bis +125℃
Mechanische Festigkeit: Entspricht den JEDEC-Standards
Lötqualität: Zertifiziert nach IPC-A-610
Diese Gehäuseabmessungsanalyse liefert präzise mechanische Referenzen für das PCB-Design des LM193DR in rauen Umgebungen und gewährleistet eine stabile mechanische Fixierung und ein effizientes Wärmemanagement in hochzuverlässigen Anwendungen.
VI. Pin-Konfiguration und Funktionsanalyse
Übersicht über den Gehäusetyp
Standard-8-Pin-Gehäuse: Unterstützt mehrere Gehäuseformate, einschließlich SOIC, VSOP, PDIP und TSSOP
Wärmeverbesserte Gehäuse: Ausgewählte Modelle verfügen über thermische Pads auf der Unterseite für eine verbesserte Wärmeableitung
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Detaillierte Beschreibung der Pin-Funktion
Komparator-Pins von Kanal 1
Pin 1 (1OUT): Komparator A-Ausgang
Open-Collector-Ausgangsstruktur
Benötigt einen externen Pull-up-Widerstand
Ausgangssättigungsspannung: 400 mV (typisch)
Pin 2 (1IN-): Komparator A Invertierender Eingang
Hochohmiger Eingang: 0,3 MΩ (typisch)
Eingangsruhestrom: 500 nA (maximal)
Pin 3 (1IN+): Komparator A Nichtinvertierender Eingang
Gleichtakteingangsbereich: 0 V bis Vcc-1,5 V
Komparator-Pins von Kanal 2
Pin 7 (2OUT): Komparator B-Ausgang
Gleiche Open-Collector-Struktur wie 1OUT
Kann unabhängig voneinander verschiedene Lasten ansteuern
Pin 6 (2IN-): Komparator B Invertierender Eingang
Pin 5 (2IN+): Komparator B Nichtinvertierender Eingang
Pins für das Energiemanagement
Pin 8 (Vcc/V+): Positive Versorgungseingabe
Betriebsspannungsbereich: 2 V bis 36 V
Kompatibel mit Einzel- oder Doppelversorgungskonfiguration
Pin 4 (GND): Erdungs-/Negative Versorgungsanschluss
Im Einzelversorgungsmodus mit Systemmasse verbunden
Im Doppelversorgungsmodus mit der negativen Versorgungsschiene verbunden
Konfiguration des Kühlkörperpads
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Wichtige Designanforderungen
Muss direkt mit dem GND-Pin (Pin 4) verbunden sein
Die Leiterplatte sollte eine ausreichende Kupferfläche für die Wärmeableitung bereitstellen
Thermische Vias werden empfohlen, um die Wärmeableitung zu verbessern效果
Elektrische Kennwerte
Komparatorleistung
Ansprechzeit: 1,3 μs typisch (5 mV Übersteuerung)
Eingangs-Offsetspannung: ±2 mV maximal
Spannungsverstärkung: 200 V/mV typisch
Betriebsumgebung
Temperaturbereich: -55℃ bis +125℃
Ruhestrom: 0,8 mA/Komparator (typisch)
Design-Anwendungshinweise
Empfehlungen zur Ausgangskonfiguration
Pull-up-Widerstandswert: 1 kΩ bis 10 kΩ
Maximaler Senkstrom: 16 mA (absolutes Maximum)
Ausgänge können parallel geschaltet werden, um eine Wired-AND-Logik zu implementieren
Anforderungen an die Stromversorgungsentkopplung
Ein 0,1 μF-Keramikkondensator muss nahe am Vcc-Pin platziert werden
Zusätzlicher 10 μF-Elektrolytkondensator für Hochfrequenzanwendungen empfohlen
Diese Pin-Konfigurationsanalyse bietet eine umfassende technische Referenz für das Schaltungsdesign des LM193DR in rauen Umgebungen wie der industriellen Steuerung und der Automobilelektronik und gewährleistet eine stabile und zuverlässige Spannungskomparationsfunktionalität.

