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Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR

 Die Unternehmensmittel Um Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR

18. Oktober 2025 — Vor dem Hintergrund der zunehmenden Komplexität in der industriellen Automatisierung und elektronischen Systemen für Kraftfahrzeuge gibt es erhöhte Anforderungen an die Umweltverträglichkeit und Betriebsstabilität von Schlüsselkomponenten der Signalverarbeitung. Als eine der Lösungen für Anwendungen in rauen Umgebungen bietet der duale Spannungskomparator LM193DR mit seinem erweiterten industriellen Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C und einer Eingangs-Offsetspannung von nur ±1 mV (typisch) zuverlässige Spannungserkennung und Signalvergleichsmöglichkeiten für die Luft- und Raumfahrt, Automobilmotorantriebe und hochpräzise industrielle Sensorsysteme.

 

 

I. Chip-Einführung

 

Der LM193DR ist ein monolithischer integrierter Schaltkreis, der zwei unabhängige Präzisionsspannungskomparatoren integriert. Dieses in einem SOIC-8-Gehäuse untergebrachte Gerät zeichnet sich durch geringe Leistungsaufnahme, hohe Genauigkeit und einen extrem weiten Betriebstemperaturbereich aus, während es gleichzeitig direkt mit TTL-, CMOS- und MOS-Logikschnittstellen kompatibel ist.

 

Kernmerkmale und Vorteile:

Extrem weiter Temperaturbereich: Voller Betrieb von -55 °C bis +125 °C

Geringe Eingangs-Offsetspannung: Typischerweise ±1 mV, maximal ±2 mV

Geringer Eingangsruhestrom: Typischerweise 25 nA

Großer Betriebsspannungsbereich: Einzelversorgung 2 V bis 36 V

Low-Power-Design: Ruhestrom ca. 0,8 mA pro Komparator

 

Typische Anwendungsbereiche:

Luft- und Raumfahrt-Steuerungssysteme

Elektronische Steuergeräte (ECUs) für Kraftfahrzeuge

Industrielle Prozessleittechnik

Hochpräzise Sensorschnittstellen

 

 

II. Funktionsblockdiagrammanalyse des Einzelkomparators

 

Übersicht über die Kernarchitektur
Der LM193DR verwendet eine klassische Bipolartransistorarchitektur, wobei jeder Komparator aus einer kompletten Differenzeingangsstufe, einer Verstärkerstufe und einer Ausgangsstufe besteht, wodurch eine stabile Vergleichsgenauigkeit über einen weiten Temperaturbereich gewährleistet wird.

 

 

 

Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR

Analyse der wichtigsten Funktionsmodule

1. Differenzverstärker-Eingangsstufe

Kernstruktur: Q1 und Q2 bilden ein PNP-Differenzeingangspaar

Bias-Design: Q15 bildet eine Konstantstromquelle und liefert einen stabilen Betriebsstrom

Schutzmechanismen:

D3 und D4 implementieren einen Eingangs-Clamp-Schutz

Gleichtaktspannungsbegrenzungsschaltung

 

Leistungsmerkmale:

Eingangsruhestrom: Typischerweise 25 nA

Eingangs-Offsetspannung: Typischerweise ±1 mV

Der Gleichtakteingangsbereich umfasst das Erdungspotenzial

 

2. Bias- und Referenznetzwerk

Stromspiegelstruktur: Q9-Q12 und Q14 bilden eine Präzisions-Bias-Schaltung

Temperaturkompensation: Eingebaute Kompensation sorgt für Stabilität über den gesamten Temperaturbereich

Pegelverschiebung: D1 und D2 liefern stabile Spannungsreferenzen

 

3. Zwischenverstärkerstufe

Verstärkerschaltung: Q3, Q4 usw. bilden eine Emitter-Basisschaltung

Funktionale Implementierung:

Bietet primäre Spannungsverstärkung

Wandelt Differenz- in unsymmetrische Signale um

Steuert den Betrieb der Ausgangsstufe

 

4. Ausgangstreiberstufe

Ausgangsstruktur: Open-Collector-Ausgangsdesign

Kernkomponente: Q13 dient als Ausgangstreibertransistor

Schutzschaltung: Integrierter ESD-Schutz

Hauptmerkmale:

Ausgangssättigungsspannung: Typischerweise 130 mV

Kompatibel mit TTL/CMOS-Logikpegeln

Benötigt einen externen Pull-up-Widerstand

 

Signalleitungsanalyse

Nichtinvertierender Eingang → Q2 → Pegelverschiebung → Verstärkerstufe → Ausgangstreiber Invertierender Eingang → Q1 → Pegelverschiebung → Verstärkerstufe → Ausgangstreiber

 

Wichtige Leistungsparameter

Präzisionsmerkmale

Spannungsverstärkung: Typischerweise 200 V/mV

Ansprechzeit: 1,3 μs (Vcc=5V)

Gleichtakteingangsbereich: 0 V bis Vcc-1,5 V

 

Zuverlässigkeitsmerkmale

Betriebstemperatur: -55℃ bis +125℃

ESD-Schutz: >2000 V

Langzeitstabilität:<0,5 μV/Monat

 

Zusammenfassung der Designvorteile

Diese Architektur verkörpert die Designphilosophie hochzuverlässiger analoger integrierter Schaltungen:

Umweltverträglichkeit: Behält stabile Leistung über weite Temperaturbereiche bei

Präzisionssicherung: Ausgeklügeltes Bias- und Kompensationsdesign

Systemkompatibilität: Flexible Schnittstellen- und Ausgangskonfiguration

Zuverlässiger Betrieb: Umfassende eingebaute Schutzmechanismen

 

Dieses Funktionsblockdiagramm bietet die technische Grundlage für das Verständnis der Funktionsweise des LM193DR in extremen Umgebungen und eignet sich besonders für die Designverifizierung in hochzuverlässigen Anwendungsszenarien wie der Luft- und Raumfahrt und der Automobilelektronik.

 

 

III. PCB-Layout-Design-Leitfaden

 

Pin-Konfiguration und Funktionsanalyse

 

 

Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR

 

Details zur Pin-Funktion:

Pin 1 (1OUT): Komparator A-Ausgang
Open-Collector-Ausgang, erfordert einen externen Pull-up-Widerstand

Pin 2 (1IN-): Komparator A Invertierender Eingang

Pin 3 (1IN+): Komparator A Nichtinvertierender Eingang

Pin 4 (GND): Erdungsanschluss

Pin 5 (2IN+): Komparator B Nichtinvertierender Eingang

Pin 6 (2IN-): Komparator B Invertierender Eingang

Pin 7 (2OUT): Komparator B-Ausgang

Pin 8 (Vcc): Positive Versorgung (2 V bis 36 V)

 

Kernpunkte des PCB-Layouts

Eingangssignalverarbeitung

Eingangswiderstände nahe am Bauteil platzieren: Abstand innerhalb von 2 mm kontrollieren

Symmetrisches Layout: Differenzsignale verwenden ein Design mit gleich langen Leiterbahnen

Abschirmungsschutz: Empfindliche Eingangssignale werden von Erdungsbahnen umgeben

 

Design der Stromversorgungsentkopplung

Entkopplungskondensatoren platzieren <3 mm von den Pins entfernt

Breite der Stromversorgungsleiterbahn ≥0,5 mm

Zonen-Layout-Strategie

 

1. Eingangssignalzone

Eingangsfilterkomponenten neben den entsprechenden Pins

Parallele Führung von Eingangs- und Ausgangsleitungen vermeiden

Hochfrequenzsignale mit Erdungsebenen isolieren

 

2. Energiemanagementzone

Entkopplungskondensatoren in versetzten Schichten platzieren

Stromleitungen von empfindlichen Signalen wegführen

Vollständige Erdungsrückpfade sicherstellen

 

3. Ausgangstreiberzone

Pull-up-Widerstände nahe an den Ausgangspins platzieren

Breite der Ausgangsleiterbahn entsprechend dem Laststrom auslegen

Testpunkte für die Debugging-Bequemlichkeit reservieren

 

Maßnahmen zur Störunterdrückung

Rauschunterdrückung

Parallele kleine Kondensatoren (10-100 pF) an kritischen Eingangspins

Signalleitungen von Takten und Schaltnetzteilen fernhalten

Verwendung vollständiger Erdungsebenen

 

Wärmemanagement-Design

Vollständige Nutzung der PCB-Kupferfolie zur Wärmeableitung

Hinzufügen von thermischen Vias in Hochtemperaturanwendungen

Ausreichend Platz um die Komponenten herum einhalten

 

Anforderungen an den Herstellungsprozess

Design für die Fertigung

Pad-Abmessungen entsprechen den IPC-7351-Standards

Der Bauteilabstand erfüllt die Anforderungen der automatisierten Produktion

Klare Siebdruckkennzeichnung der Pin-Funktionen

 

Inspektionsstandards

Lötstellenqualität: IPC-A-610 Klasse 2

Ausrichtungsgenauigkeit: ±0,1 mm

Koplanarität: Pin-Höhenvariation ≤0,1 mm

 

Diese Layoutlösung gewährleistet den stabilen Betrieb des LM193DR über den gesamten Temperaturbereich von -55℃ bis +125℃, indem sie die Signalintegrität, die Stromintegrität und das Wärmemanagement optimiert und die anspruchsvollen Anforderungen der Luft- und Raumfahrt, der Automobilelektronik und anderer hochstandardisierter Anwendungen erfüllt.

 

 

IV. PCB-Pad-Layout- und Lötmasken-Design-Leitfaden

 

Kernspezifikationen für das Pad-Layout

Grundlegende Abmessungsparameter

Anzahl der Pins: 8-Pin-Standardkonfiguration

Pad-Breite: 0,45 mm (passt genau zu den Pin-Abmessungen)

Pad-Länge: 1,5 mm (bietet ausreichend Lötfläche)

Pin-Abstand: 0,65 mm (Standard-Abstand-Design)

Paketspanne: 5,8 mm (insgesamt symmetrisches Layout)

Designanalyse des Hochpräzisionskomparators LM193DR

 

Anforderungen an das Symmetrie-Design

Vollständig symmetrisches Layout basierend auf der Mittellinie

Alle Abmessungen halten strenge Fertigungstoleranzen ein

Gleichmäßige Wärmeverteilung während des Lötens sicherstellen

 

Standards für das Lötmasken-Design
Nicht-Lötmasken-definiert (NSMD) - Empfohlene Lösung

Strukturelle Merkmale:

Metallpads vollständig freigelegt

Lötmaskenöffnungen größer als die Pad-Abmessungen

Lötmaskenöffnungen 0,05 mm größer als Pads pro Seite

 

Vorteilhafte Eigenschaften:

Reduziert die Spannungskonzentration

Verbessert die Lötzuverlässigkeit

Erleichtert die Prozesskontrolle

 

Lötmasken-definiert (SMD) - Alternative Lösung

Lötmaskenöffnungen passen genau zu den Pad-Abmessungen

Metallschicht teilweise von der Lötmaske bedeckt

Geeignet für hochdichte Routing-Designs

 

Wichtige Designparameter
Steuerung der Maßtoleranz

Pad-Positionstoleranz: ±0,05 mm

Ausrichtungsgenauigkeit der Lötmaske: ±0,05 mm

Gesamtsymmetrieabweichung: ≤0,1 mm

 

Spezifikationen der Metallschicht

Basiskupferfoliendicke: 1oz (35 μm)

Empfohlene Oberflächenausführung: ENIG/Immersion Gold

Pad-Kantenbehandlung mit abgerundeten Ecken

 

Anforderungen an den Herstellungsprozess
Schablonen-Designparameter

Breite: 0,4-0,45 mm (90-100 % der Pin-Breite)

Länge: 1,4-1,5 mm

Schablonendicke: 0,1-0,15 mm

 

Steuerung des Lötprozesses

Lotpastentyp: Typ III bleifrei

Reflow-Spitzentemperatur: 245-255 °C

Aufheizrate: 1-3 °C/Sekunde

 

Qualitätsverifizierungsstandards
Herstellbarkeitsprüfung

Pad-Abstand ≥0,2 mm

Lötmaskenbrückenbreite ≥0,1 mm

Abstand zwischen Siebdruck und Pad ≥0,1 mm

 

Zuverlässigkeitsprüfung

Thermischer Zyklustest: -55℃ bis 125℃

Lötstellenfestigkeit: Entspricht IPC-9701

Sichtprüfung: Erfüllt IPC-A-610 Klasse 2/3

 

Dieser Designleitfaden bietet umfassende technische Spezifikationen für das PCB-Design des LM193DR in hochzuverlässigen Anwendungen wie der Luft- und Raumfahrt und der Automobilelektronik und gewährleistet einen langfristig stabilen Betrieb in rauen Umgebungen.

 

 

V. Gehäuseabmessungen und Strukturanalyse

 

 

Hauptabmessungen des Gehäuseumrisses

Hauptprofilabmessungen

Gehäuselänge: 1,90 - 2,10 mm

Gehäusebreite: 0,70 - 0,80 mm

Gehäusehöhe: 0,18 - 0,32 mm (Pin-Dicke)

Auflageebene: 0,08 mm Referenzebene

 

 

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Parameter der Pin-Struktur

Pin-Breite: 0,18 - 0,32 mm

Pin-Länge: 0,20 - 0,40 mm

Pin-Abstand: 6 × 0,50 mm Standardabstand

Seitenwandmetallstärke: 0,10 mm typischer Wert

 

Besondere strukturelle Merkmale

Pin 1 Identifikationsbereich

45 ° Abschrägungsdesign, Breite 0,25 mm

Bietet eine klare Polaritätsidentifizierung

Erleichtert die automatisierte optische Inspektion

 

Wärmepad-Design

Freiliegendes Wärmepad: Befindet sich an der Unterseite des Gehäuses

Wärmeverbesserte Struktur: Verbessert die Wärmeableitungsfähigkeit

Lötanforderungen: Benötigt guten Kontakt mit der Leiterplatte

 

Pin-Form-Optionen

Option 1: Standard-Gull-Wing-Leads

Option 2: Alternative Anschlussformen

 

Steuerung der Maßtoleranz

Primäre Abmessungen: ±0,05 mm Standardtoleranz

Kritische Abmessungen: ±0,10 mm enge Toleranz

Kumulative Toleranz: 0,050 mm maximale Abweichung

 

Richtlinien zur Anpassung des PCB-Designs

Empfehlungen für das Pad-Design

Pad-Breite: 0,22 - 0,32 mm (passend zu den Pin-Abmessungen)

Pad-Länge: 0,70 - 0,91 mm

Abstandswartung: 0,18 mm Mindestabstand

 

Wärmemanagement-Design

Volle Kupferabdeckung im Wärmepadbereich

Empfohlene Verwendung von thermischen Via-Arrays

Effiziente Wärmeleitpfade sicherstellen

 

Qualitätsverifizierungsstandards

Anforderungen an die Sichtprüfung

Koplanarität der Pins: ≤ 0,10 mm

Ausrichtungsgenauigkeit der Pads: ± 0,05 mm

Integrität der Oberflächenbehandlung: Keine Oxidation, keine Kontamination

 

Zuverlässigkeitstests

Temperaturwechsel: -55℃ bis +125℃

Mechanische Festigkeit: Entspricht den JEDEC-Standards

Lötqualität: Zertifiziert nach IPC-A-610

 

Diese Gehäuseabmessungsanalyse liefert präzise mechanische Referenzen für das PCB-Design des LM193DR in rauen Umgebungen und gewährleistet eine stabile mechanische Fixierung und ein effizientes Wärmemanagement in hochzuverlässigen Anwendungen.

 

 

VI. Pin-Konfiguration und Funktionsanalyse

 

Übersicht über den Gehäusetyp

Standard-8-Pin-Gehäuse: Unterstützt mehrere Gehäuseformate, einschließlich SOIC, VSOP, PDIP und TSSOP

Wärmeverbesserte Gehäuse: Ausgewählte Modelle verfügen über thermische Pads auf der Unterseite für eine verbesserte Wärmeableitung

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Detaillierte Beschreibung der Pin-Funktion

Komparator-Pins von Kanal 1

Pin 1 (1OUT): Komparator A-Ausgang

Open-Collector-Ausgangsstruktur

Benötigt einen externen Pull-up-Widerstand

Ausgangssättigungsspannung: 400 mV (typisch)

 

Pin 2 (1IN-): Komparator A Invertierender Eingang

Hochohmiger Eingang: 0,3 MΩ (typisch)

Eingangsruhestrom: 500 nA (maximal)

 

Pin 3 (1IN+): Komparator A Nichtinvertierender Eingang

Gleichtakteingangsbereich: 0 V bis Vcc-1,5 V

 

Komparator-Pins von Kanal 2

Pin 7 (2OUT): Komparator B-Ausgang

Gleiche Open-Collector-Struktur wie 1OUT

Kann unabhängig voneinander verschiedene Lasten ansteuern

 

Pin 6 (2IN-): Komparator B Invertierender Eingang

Pin 5 (2IN+): Komparator B Nichtinvertierender Eingang

 

Pins für das Energiemanagement

Pin 8 (Vcc/V+): Positive Versorgungseingabe

Betriebsspannungsbereich: 2 V bis 36 V

Kompatibel mit Einzel- oder Doppelversorgungskonfiguration

 

Pin 4 (GND): Erdungs-/Negative Versorgungsanschluss

Im Einzelversorgungsmodus mit Systemmasse verbunden

Im Doppelversorgungsmodus mit der negativen Versorgungsschiene verbunden

 

Konfiguration des Kühlkörperpads

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Wichtige Designanforderungen

Muss direkt mit dem GND-Pin (Pin 4) verbunden sein

Die Leiterplatte sollte eine ausreichende Kupferfläche für die Wärmeableitung bereitstellen

Thermische Vias werden empfohlen, um die Wärmeableitung zu verbessern效果

 

Elektrische Kennwerte

Komparatorleistung

Ansprechzeit: 1,3 μs typisch (5 mV Übersteuerung)

Eingangs-Offsetspannung: ±2 mV maximal

Spannungsverstärkung: 200 V/mV typisch

 

Betriebsumgebung

Temperaturbereich: -55℃ bis +125℃

Ruhestrom: 0,8 mA/Komparator (typisch)

 

Design-Anwendungshinweise

Empfehlungen zur Ausgangskonfiguration

Pull-up-Widerstandswert: 1 kΩ bis 10 kΩ

Maximaler Senkstrom: 16 mA (absolutes Maximum)

Ausgänge können parallel geschaltet werden, um eine Wired-AND-Logik zu implementieren

 

Anforderungen an die Stromversorgungsentkopplung

Ein 0,1 μF-Keramikkondensator muss nahe am Vcc-Pin platziert werden

Zusätzlicher 10 μF-Elektrolytkondensator für Hochfrequenzanwendungen empfohlen

 

Diese Pin-Konfigurationsanalyse bietet eine umfassende technische Referenz für das Schaltungsdesign des LM193DR in rauen Umgebungen wie der industriellen Steuerung und der Automobilelektronik und gewährleistet eine stabile und zuverlässige Spannungskomparationsfunktionalität.